安森美半导体增强CCD图像传感器的近红外性能

来源:展程网   浏览次数:275次   发布时间:2016-07-19 15:53:35   咨询热线:400-645-8000
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展会时间:2017-03-22 至 2017-03-24
展会地点:亚洲-中国-重庆
展会展馆:中国重庆国际博览中心

  推动高能效创新的安森美半导体采用提升CCD图像传感器的近红外灵敏度的技术,增强在严格要求的工业应用中的成像性能。

  800万像素(MP)KAI-08052图像传感器是安森美半导体CCD产品阵容中首款采用该新技术的器件, 提供的近红外(NIR)波长灵敏度达公司标准的Interline Transfer CCD 像素设计的两倍。此增强的灵敏度对以下应用非常关键:如科学和医疗成像等应用中在NIR波长中取样发光或发出荧光;或在机器视觉和智能交通系统(ITS) 中,NIR照明通常用于更佳地检查目标或隔离车辆的车牌。

  KAI-08052采用的新的CCD像素设计延伸硅片中的电子捕获区,以更佳地捕获长波长光子产生的电子。视 乎研究的特定波长,这种更深的像素井可以提高检测的NIR波长达一倍。由于井结构也使光电二极管彼此隔离,从而提高了NIR灵敏度而不减少图像清晰度(调 制传递函数或MTF)。

  安森美半导体图像传感器部工业和安防分部副总裁兼总经理Herb Erhardt说:“摄像机制造商和终端客户不断证实这些市场需要基于CCD和CMOS技术的产品,我们持续开发和推进这两种技术很重要。KAI- 08052比我们标准的像素设计显著提升NIR灵敏度,我们将采用这种技术推出更多的产品。”

  KAI-08052采用符合限制使用有害物质指令(RoHS)的CPGA-67封装,提供黑白、拜耳色和 Sparse Color配置,与现有的KAI-08051图像传感器及全系列的5.5µm和7.4 µmCCD图像传感器完全引脚兼容,使摄像机制造商能快速采用新的器件。

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